Технічні дані
Тип IRF3205ZPBF
Корпус ТО 220АВ
Виробник Infineon Technologies
Виробн. код INF
Канал типу N
I(d) 75 А
UBR DSS 55 В
Потужність (макс.) P(TOT) 170W
R(DS)(увімкнено) 6,5 мОм
R(DS)(on) опорний струм 66 A
R(DS)(on) опорна пружна 10 В
U(GS)(th) макс. 4В
U(GS)(th) опорний струм (макс.) 250 мкА
Q(G) 110nC
Q(G) опорна пружна 10 В
C(ISS) 3450 пФ
C(ISS) опорна пружна 25 В
Робоча температура (мін.) -55°C
Тип кріплення Наскрізний отвір
Серія HEXFET®
Максимальна робоча температура +175 °C
Властивість транзистора За замовчуванням
U(DSS) 55В
канал 1
Вміст 1 шт.
Канал типу N
Опис 55В/110А
Тип продукту MOSFET
Інформація для замовлення
- Ціна: 45 ₴

